收藏本站
IXFN360N10T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Output Characteristics
@ 150oC
360
320
280
240
V GS = 15V
10V
8V
7V
360
320
280
240
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
6V
200
200
160
120
6V
160
120
80
80
5V
40
0
5V
40
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value
vs. Junction Temperature
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value
vs. Drain Current
2.4
V GS = 10V
2.4
2.2
2.2
T J = 175oC
2.0
1.8
I D = 350A
I D = 180A
2.0
1.8
V GS = 10V
15V - - - -
1.6
1.4
1.2
1.6
1.4
1.0
0.8
0.6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
330
360
220
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Drain Current vs. Case Temperature
280
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
200
180
160
External Lead Current Limit
240
200
T J = 150oC
25oC
- 40oC
140
120
100
80
60
40
20
0
160
120
80
40
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V GS - Volts
IXYS REF: F_360N10T(2x7V)12-04-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFN360N15T2 MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN36N100 MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
IXFN36N110P MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
IXFN38N100P MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXFN40N110P MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
IXFN40N90P MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
IXFN420N10T MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
IXFN44N100P MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN360N15T2 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXFN36N100 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN36N110P 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN36N60 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100P 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN38N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFN38N80Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube